Источник тока

Источник тока

Если поместить теперь источник тока в М, то потенциал точки А
будет равен UMA:Таким образом, потенциал, вызываемый в точке М источником тока /, расположенным в точке А, равен потенциалу, который вызывается в точке
А
таким же источником тока, расположенным в точке М. Это рассуждение справедливо для однородной среды, но оно может быть обобщено и для неод­нородной среды. Иэ принципа взаимности следует, что перемена роли пи­тающих и измерительных электродов АВ и MN не изменяет величины кажу­щегося сопротивления, измеренного при помощи этой установки.

Установки, в которых расстояния между электродами АВ
и MN малы по сравнению с расстояниями между центрами этих пар электродов (диполей), называются дипольными. На практике условно дипольными считаются и та­кие установки, у которых расстояние между электродами приемной и пита — ющеи линий хотя и меньше расстояния между их центрами, но вполне с ними сравнимо.

Диполъная потенциальная установка (рис. 202, г). Расстояния между электррдами АВ = I; положение электрода М
в плоскости измерений опре­деляется его радиусом-вектором г и полярным углом 0; электрод N
находится на бесконечности

Профилирование с симметричным расположением электродов приме­няют как для прослеживания глубинных структур в осадочной толще, так р при картировании и поисках более мелких объектов: залегающих вблизи дневной поверхности пластов угля, рудных тел, даек, кварцевых жил и т. д. Особенно успешно такое профилирование применяют при картировании в масштабе 1 : 50 ООО — 1 : 100 ООО. Величины qk для обоих разносов элек­тродов наносят на один и тот же график вместе с высотным профилем рельефа местности и другими топографическими данными.

При очень малом расстоянии
MN по сравнению с АВ (IL) измеря­емую разность потенциалов можно считать пропорциональной градиенту напряжения электрического поля. Для профилирования методом градиентов отношение L: I берут в пределах 40—60 (рис. 208, в). Питающие электроды остаются неподвижными в течение серии измерений. Это обеспечивает спо­койный характер нормального поля на значительном отрезке профиля и об­легчает выявление слабых аномалий, связанных с неглубоко залегающими объектами.


Вы можете оставить комментарий , или trackback с вашего сайта.

Оставьте комментарий

*